Modelo do Produto : | APTM20DHM10G |
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Fabricante / Marca : | Microsemi |
Descrição : | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 4176 pcs |
Fichas de dados | 1.APTM20DHM10G.pdf2.APTM20DHM10G.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SP6 |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 12 mOhm @ 87.5A, 10V |
Power - Max | 694W |
Embalagem | Bulk |
Caixa / Gabinete | SP6 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Característica FET | Standard |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 200V |
Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 175A 694W Chassis Mount SP6 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 175A |