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DMN1019USN-13

Modelo do Produto : DMN1019USN-13
Fabricante / Marca : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 322015 pcs
Fichas de dados DMN1019USN-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor SC-59
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 680mW (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes DMN1019USN-13DITR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2426pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 50.6nC @ 8V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.2V, 2.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 12V
Descrição detalhada N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.3A (Ta)
DMN1019USN-13
Diodes Incorporated Diodes Incorporated as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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