| Modelo do Produto : | DTB543EMT2L |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | LAPIS Semiconductor |
| Descrição : | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 405572 pcs |
| Fichas de dados | 1.DTB543EMT2L.pdf2.DTB543EMT2L.pdf |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 12V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | VMT3 |
| Série | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Power - Max | 150mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SOT-723 |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição | 260MHz |
| Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Número da peça base | DTB543 |
LAPIS Semiconductor
