| Modelo do Produto : |
EMB61T2R |
| Fabricante / Marca : |
LAPIS Semiconductor |
| Descrição : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Estado de RoHS : |
Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível |
626020 pcs |
| Fichas de dados |
1.EMB61T2R.pdf2.EMB61T2R.pdf |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) |
50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic |
150mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor |
EMT6 |
| Série |
- |
| Resistor - Base do Emissor (R2) |
10 kOhms |
| Resistor - Base (R1) |
10 kOhms |
| Power - Max |
150mW |
| Embalagem |
Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete |
SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes |
EMB61T2RTR |
| Tipo de montagem |
Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante |
10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição |
250MHz |
| Descrição detalhada |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce |
35 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) |
500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) |
50mA |
LAPIS Semiconductor
