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EPC2023ENGR

Modelo do Produto : EPC2023ENGR
Fabricante / Marca : EPC
Descrição : TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 6499 pcs
Fichas de dados EPC2023ENGR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA
Vgs (Max) +6V, -4V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor Die
Série eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.3 mOhm @ 40A, 5V
Dissipação de energia (Max) -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete Die
Outros nomes 917-EPC2023ENGRTR
EPC2023ENGRT
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
EPC2023ENGR
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