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EPC2037

Modelo do Produto : EPC2037
Fabricante / Marca : EPC
Descrição : TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 48633 pcs
Fichas de dados EPC2037.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 80µA
Vgs (Max) +6V, -4V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor Die
Série eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 550 mOhm @ 100mA, 5V
Dissipação de energia (Max) -
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete Die
Outros nomes 917-1137-6
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 0.12nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição detalhada N-Channel 100V 1.7A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)
EPC2037
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