| Modelo do Produto : | EPC2102 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | EPC |
| Descrição : | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 6823 pcs |
| Fichas de dados | EPC2102.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | Die |
| Série | eGaN® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Power - Max | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | Die |
| Outros nomes | 917-1182-2 |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 14 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60V |
| Descrição detalhada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 23A |
EPC
