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EPC2107ENGRT

Modelo do Produto : EPC2107ENGRT
Fabricante / Marca : EPC
Descrição : TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 33224 pcs
Fichas de dados EPC2107ENGRT.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 9-BGA (1.35x1.35)
Série eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Power - Max -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 9-VFBGA
Outros nomes 917-EPC2107ENGRTR
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100V
Descrição detalhada Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
EPC2107ENGRT
EPC EPC as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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