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FDME910PZT

Modelo do Produto : FDME910PZT
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 98696 pcs
Fichas de dados FDME910PZT.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor MicroFet 1.6x1.6 Thin
Série PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 24 mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 2.1W (Ta)
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete 6-PowerUFDFN
Outros nomes FDME910PZTCT
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição detalhada P-Channel 20V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
FDME910PZT
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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