Modelo do Produto : | FDP090N10 |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição : | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 24998 pcs |
Fichas de dados | 1.FDP090N10.pdf2.FDP090N10.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220-3 |
Série | PowerTrench® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 9 mOhm @ 75A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 208W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 6 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8225pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição detalhada | N-Channel 100V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |