Modelo do Produto : | FDT86106LZ |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição : | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 55225 pcs |
Fichas de dados | 1.FDT86106LZ.pdf2.FDT86106LZ.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-223-4 |
Série | PowerTrench® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 108 mOhm @ 3.2A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 2.2W (Ta) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | TO-261-4, TO-261AA |
Outros nomes | FDT86106LZ-ND FDT86106LZTR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 25 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 50V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição detalhada | N-Channel 100V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |