| Modelo do Produto : | HN1C01FU-GR,LF |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição : | TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 542691 pcs |
| Fichas de dados | HN1C01FU-GR,LF.pdf |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo transistor | 2 NPN (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | US6 |
| Série | - |
| Power - Max | 200mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Outros nomes | HN1C01FU-GR(L,F,T) HN1C01FU-GR,LF(B HN1C01FU-GR,LF(T HN1C01FU-GRLF HN1C01FU-GRLF-ND HN1C01FU-GRLFTR HN1C01FUGRLFT HN1C01FUGRLFTTR HN1C01FUGRLFTTR-ND |
| Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição | 80MHz |
| Descrição detalhada | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
