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HUF76429S3ST

Modelo do Produto : HUF76429S3ST
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 27556 pcs
Fichas de dados HUF76429S3ST.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor D²PAK (TO-263AB)
Série UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 22 mOhm @ 47A, 10V
Dissipação de energia (Max) 110W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes HUF76429S3ST-ND
HUF76429S3STTR
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição detalhada N-Channel 60V 47A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 47A (Tc)
HUF76429S3ST
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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