| Modelo do Produto : |
IDT71V25761YSA200BQI |
| Fabricante / Marca : |
IDT (Integrated Device Technology) |
| Descrição : |
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA |
| Estado de RoHS : |
Contém chumbo / RoHS não compatível |
| Quantidade Disponível |
4477 pcs |
| Fichas de dados |
1.IDT71V25761YSA200BQI.pdf2.IDT71V25761YSA200BQI.pdf |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página |
- |
| Tensão - Fornecimento |
3.135 V ~ 3.465 V |
| Tecnologia |
SRAM - Synchronous |
| Embalagem do dispositivo fornecedor |
165-CABGA (13x15) |
| Série |
- |
| Embalagem |
Tray |
| Caixa / Gabinete |
165-TBGA |
| Outros nomes |
71V25761YSA200BQI |
| Temperatura de operação |
-40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem |
Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
3 (168 Hours) |
| Tipo de memória |
Volatile |
| Tamanho da memória |
4.5Mb (128K x 36) |
| Interface de memória |
Parallel |
| Formato de memória |
SRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrição detalhada |
SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 5ns 165-CABGA (13x15) |
| Freqüência de relógio |
200MHz |
| Número da peça base |
IDT71V25761 |
| Tempo de acesso |
5ns |
IDT (Integrated Device Technology)
