| Modelo do Produto : | IPB80N06S207ATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrição : | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 5518 pcs |
| Fichas de dados | IPB80N06S207ATMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO263-3-2 |
| Série | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 6.3 mOhm @ 68A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 250W (Tc) |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes | IPB80N06S2-07 IPB80N06S2-07-ND IPB80N06S207ATMA1TR SP000218818 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 55V |
| Descrição detalhada | N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
