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IPD70R1K4CEAUMA1

Modelo do Produto : IPD70R1K4CEAUMA1
Fabricante / Marca : International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição : MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 122765 pcs
Fichas de dados IPD70R1K4CEAUMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3
Série CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 53W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes IPD70R1K4CEAUMA1-ND
IPD70R1K4CEAUMA1TR
SP001466962
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET Super Junction
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 700V
Descrição detalhada N-Channel 700V 5.4A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc)
IPD70R1K4CEAUMA1
International Rectifier (Infineon Technologies) International Rectifier (Infineon Technologies) as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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