| Modelo do Produto : | IRF9952 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrição : | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| Estado de RoHS : | Contém chumbo / RoHS não compatível |
| Quantidade Disponível | 5310 pcs |
| Fichas de dados | IRF9952.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SO |
| Série | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Power - Max | 2W |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | *IRF9952 SP001563782 |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
| Descrição detalhada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
International Rectifier (Infineon Technologies)
