| Modelo do Produto : | J112-D27Z |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrição : | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 368575 pcs |
| Fichas de dados | J112-D27Z.pdf |
| Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id | 1V @ 1µA |
| Tensão - Breakdown (V (BR) GSS) | 35V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-92-3 |
| Série | - |
| Resistência - RDS (on) | 50 Ohms |
| Power - Max | 625mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes | J112-D27ZTR J112_D27Z J112_D27Z-ND J112_D27ZTR J112_D27ZTR-ND |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 6 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Descrição detalhada | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Atual - Drenagem (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Número da peça base | J112 |
