| Modelo do Produto : | MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | ON Semiconductor |
| Descrição : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 1001518 pcs |
| Fichas de dados | MUN5113DW1T1G.pdf |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 100mA |
| Tensão - Breakdown | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 50V |
| Série | - |
| Status de RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | - |
| Power - Max | 250mW |
| Polarização | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Outros nomes | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| Fator de ruído (dB Typ @ f) | 47k |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante | MUN5113DW1T1G |
| Frequência - Transição | 80 @ 5mA, 10V |
| Descrição expandida | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Descrição | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 500nA |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ON Semiconductor
