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MUN5115DW1T1G

Modelo do Produto : MUN5115DW1T1G
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição : TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 637850 pcs
Fichas de dados MUN5115DW1T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) -
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Power - Max 250mW
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes MUN5115DW1T1GOSCT
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição -
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Número da peça base MUN51**DW1T
MUN5115DW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
Compre MUN5115DW1T1G com confiança de {Define: Sys_Domain}, 1 ano de garantia
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