| Modelo do Produto : |
NSBA143ZDP6T5G |
| Fabricante / Marca : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrição : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
| Estado de RoHS : |
Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível |
349070 pcs |
| Fichas de dados |
NSBA143ZDP6T5G.pdf |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) |
50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo transistor |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor |
SOT-963 |
| Série |
- |
| Resistor - Base do Emissor (R2) |
47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) |
4.7 kOhms |
| Power - Max |
408mW |
| Embalagem |
Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete |
SOT-963 |
| Tipo de montagem |
Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante |
10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição |
- |
| Descrição detalhada |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) |
500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) |
100mA |
| Número da peça base |
NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
