Modelo do Produto : | NSVMUN5316DW1T1G |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição : | TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 351208 pcs |
Fichas de dados | NSVMUN5316DW1T1G.pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Power - Max | 250mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Outros nomes | NSVMUN5316DW1T1G-ND NSVMUN5316DW1T1GOSTR |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 40 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | - |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |