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NTB5426NT4G

Modelo do Produto : NTB5426NT4G
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5187 pcs
Fichas de dados NTB5426NT4G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max) 215W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60V
Descrição detalhada N-Channel 60V 120A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
NTB5426NT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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