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NTF6P02T3G

Modelo do Produto : NTF6P02T3G
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 90013 pcs
Fichas de dados NTF6P02T3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-223
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 50 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 8.3W (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes NTF6P02T3GOS
NTF6P02T3GOS-ND
NTF6P02T3GOSTR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição detalhada P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
NTF6P02T3G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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