Modelo do Produto : | NTZD3155CT1G |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição : | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 267941 pcs |
Fichas de dados | NTZD3155CT1G.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-563 |
Série | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
Power - Max | 250mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
Outros nomes | NTZD3155CT1GOSTR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 46 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição detalhada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 540mA, 430mA |
Número da peça base | NTZD3155C |