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NVMFS6H800NT1G

Modelo do Produto : NVMFS6H800NT1G
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição : TRENCH 8 80V NFET
Estado de RoHS :
Quantidade Disponível 21340 pcs
Fichas de dados NVMFS6H800NT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 330µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN, 5 Leads
Outros nomes NVMFS6H800NT1G-ND
NVMFS6H800NT1GOSTR
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 42 Weeks
Status sem chumbo Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5530pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 80V
Descrição detalhada N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 203A (Tc)
NVMFS6H800NT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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