Modelo do Produto : | PDTC114YS,126 |
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Fabricante / Marca : | NXP Semiconductors / Freescale |
Descrição : | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 5519 pcs |
Fichas de dados | PDTC114YS,126.pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-92-3 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Power - Max | 500mW |
Embalagem | Tape & Box (TB) |
Caixa / Gabinete | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Outros nomes | 934057566126 PDTC114YS AMO PDTC114YS AMO-ND |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Número da peça base | PDTC114 |