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RBR3L30BTE25

Modelo do Produto : RBR3L30BTE25
Fabricante / Marca : LAPIS Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDS
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 145018 pcs
Fichas de dados RBR3L30BTE25.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se 530mV @ 3A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) 30V
Embalagem do dispositivo fornecedor PMDS
Velocidade Fast Recovery = 200mA (Io)
Série -
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete DO-214AC, SMA
Outros nomes RBR3L30BTE25TR
Temperatura de Operação - Junção 150°C (Max)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode Schottky
Descrição detalhada Diode Schottky 30V 3A Surface Mount PMDS
Atual - dispersão reversa @ Vr 80µA @ 30V
Atual - rectificada média (Io) 3A
Capacitância @ Vr, F -
RBR3L30BTE25
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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