Modelo do Produto : | RN1406,LF |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição : | TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 1582605 pcs |
Fichas de dados | RN1406,LF.pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | S-Mini |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Power - Max | 200mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Outros nomes | RN1406,LF(B RN1406,LF(T RN1406LFTR RN1406S,LF RN1406SLF RN1406SLFTR RN1406SLFTR-ND |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | 250MHz |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Número da peça base | RN140* |