| Modelo do Produto : |
RN1909FE(TE85L,F) |
| Fabricante / Marca : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Estado de RoHS : |
Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível |
390171 pcs |
| Fichas de dados |
RN1909FE(TE85L,F).pdf |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) |
50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor |
ES6 |
| Série |
- |
| Resistor - Base do Emissor (R2) |
22 kOhms |
| Resistor - Base (R1) |
47 kOhms |
| Power - Max |
100mW |
| Embalagem |
Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete |
SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes |
RN1909FE(TE85LF)CT |
| Tipo de montagem |
Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição |
250MHz |
| Descrição detalhada |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce |
70 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max) |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
