Modelo do Produto : | RN2109CT(TPL3) |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição : | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 5209 pcs |
Fichas de dados | RN2109CT(TPL3).pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | CST3 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Power - Max | 50mW |
Embalagem | Original-Reel® |
Caixa / Gabinete | SC-101, SOT-883 |
Outros nomes | RN2109CT(TPL3)DKR |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 50mA |