Modelo do Produto : | RN2115MFV,L3F |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição : | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 999976 pcs |
Fichas de dados | RN2115MFV,L3F.pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | VESM |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Power - Max | 150mW |
Caixa / Gabinete | SOT-723 |
Outros nomes | RN2115MFVL3F |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 16 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |