Modelo do Produto : | RN2318(TE85L,F) |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 1306212 pcs |
Fichas de dados | RN2318(TE85L,F).pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | USM |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Power - Max | 100mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SC-70, SOT-323 |
Outros nomes | RN2318(TE85LF) RN2318(TE85LF)-ND RN2318(TE85LF)TR RN2318TE85LF |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 16 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | 200MHz |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Número da peça base | RN231* |