Modelo do Produto : | RN2427TE85LF |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição : | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 377274 pcs |
Fichas de dados | RN2427TE85LF.pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | S-Mini |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Power - Max | 200mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Outros nomes | RN2427(TE85L,F) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 11 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | 200MHz |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 800mA |