Modelo do Produto : | RS1BL R3G |
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Fabricante / Marca : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Descrição : | DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 630075 pcs |
Fichas de dados | RS1BL R3G.pdf |
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.3V @ 800mA |
Tensão - DC reversa (Vr) (Max) | 100V |
Embalagem do dispositivo fornecedor | Sub SMA |
Velocidade | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Série | - |
Inversa de tempo de recuperação (trr) | 150ns |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | DO-219AB |
Outros nomes | RS1BL R3G-ND RS1BLR3G |
Temperatura de Operação - Junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 25 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo Diode | Standard |
Descrição detalhada | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA |
Atual - dispersão reversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Atual - rectificada média (Io) | 800mA |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |