Modelo do Produto : | SBC856BDW1T1G |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição : | TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 605816 pcs |
Fichas de dados | SBC856BDW1T1G.pdf |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Tipo transistor | 2 PNP (Dual) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Série | Automotive, AEC-Q101 |
Power - Max | 380mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Outros nomes | SBC856BDW1T1G-ND SBC856BDW1T1GOSTR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 40 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | 100MHz |
Descrição detalhada | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |