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SI3451DV-T1-E3

Modelo do Produto : SI3451DV-T1-E3
Fabricante / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5787 pcs
Fichas de dados SI3451DV-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 6-TSOP
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes SI3451DV-T1-E3TR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição detalhada P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
SI3451DV-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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