Modelo do Produto : | SI3905DV-T1-GE3 |
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Fabricante / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrição : | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 4549 pcs |
Fichas de dados | SI3905DV-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-TSOP |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Power - Max | 1.15W |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 8V |
Descrição detalhada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | - |