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SI4922BDY-T1-GE3

Modelo do Produto : SI4922BDY-T1-GE3
Fabricante / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 39052 pcs
Fichas de dados SI4922BDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 16 mOhm @ 5A, 10V
Power - Max 3.1W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes SI4922BDY-T1-GE3-ND
SI4922BDY-T1-GE3TR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8A
Número da peça base SI4922
Electro-Films (EFI) / Vishay as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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