Modelo do Produto : | SI5903DC-T1-GE3 |
---|---|
Fabricante / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrição : | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 5678 pcs |
Fichas de dados | SI5903DC-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 1206-8 ChipFET™ |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
Power - Max | 1.1W |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 8-SMD, Flat Lead |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição detalhada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.1A |
Número da peça base | SI5903 |