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SI6404DQ-T1-E3

Modelo do Produto : SI6404DQ-T1-E3
Fabricante / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição : MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5489 pcs
Fichas de dados SI6404DQ-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-TSSOP
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.08W (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 8.6A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.6A (Ta)
SI6404DQ-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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