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SI7196DP-T1-E3

Modelo do Produto : SI7196DP-T1-E3
Fabricante / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição : MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 5147 pcs
Fichas de dados SI7196DP-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PowerPAK® SO-8
Série WFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 11 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max) 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete PowerPAK® SO-8
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1577pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 16A (Tc) 5W (Ta), 41.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
SI7196DP-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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