Modelo do Produto : | SI7860ADP-T1-GE3 |
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Fabricante / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrição : | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 5133 pcs |
Fichas de dados | SI7860ADP-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 9.5 mOhm @ 16A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.8W (Ta) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | PowerPAK® SO-8 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30V |
Descrição detalhada | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |