| Modelo do Produto : | SI8261BCD-C-IS |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Energy Micro (Silicon Labs) |
| Descrição : | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 20484 pcs |
| Fichas de dados | SI8261BCD-C-IS.pdf |
| Tensão - Fornecimento | 13.5 V ~ 30 V |
| Tensão - Isolamento | 5000Vrms |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo) | 2.8V (Max) |
| Tecnologia | Capacitive Coupling |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-SDIP |
| Série | Automotive, AEC-Q100 |
| Aumento / tempo de queda (típico) | 5.5ns, 8.5ns |
| Distorção de largura de pulso (máx.) | 28ns |
| Atraso de propagação tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Outros nomes | 336-2418-5 |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
| Número de canais | 1 |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 6 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP |
| Atual - de saída de pico | 4A |
| Atual - Saída Alto, Baixo | 500mA, 1.2A |
| Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.) | 30mA |
| Imunidade Transiente em Modo Comum (Min) | 35kV/µs |
| aprovações | CQC, CSA, UR, VDE |
