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SIZ710DT-T1-GE3

Modelo do Produto : SIZ710DT-T1-GE3
Fabricante / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 52060 pcs
Fichas de dados SIZ710DT-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 6-PowerPair™
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.8 mOhm @ 19A, 10V
Power - Max 27W, 48W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 6-PowerPair™
Outros nomes SIZ710DT-T1-GE3TR
SIZ710DTT1GE3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V
Descrição detalhada Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A, 35A
Número da peça base SIZ710
SIZ710DT-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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