| Modelo do Produto : | SMUN5212T1G |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrição : | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
| Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 752888 pcs |
| Fichas de dados | SMUN5212T1G.pdf |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SC-70-3 (SOT323) |
| Série | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Power - Max | 202mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SC-70, SOT-323 |
| Outros nomes | SMUN5212T1G-ND SMUN5212T1GOSTR |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 5 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Número da peça base | MUN52**T |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
