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SQ3418AEEV-T1_GE3

Modelo do Produto : SQ3418AEEV-T1_GE3
Fabricante / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 74981 pcs
Fichas de dados SQ3418AEEV-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 6-TSOP
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 35 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 4W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes SQ3418AEEV-T1-GE3
SQ3418AEEV-T1-GE3-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 7.8A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 7.8A (Tc)
Electro-Films (EFI) / Vishay as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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