Modelo do Produto : | SSM6J511NU,LF |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição : | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B |
Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 249629 pcs |
Fichas de dados | SSM6J511NU,LF.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-UDFNB (2x2) |
Série | U-MOSVII |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 9.1 mOhm @ 4A, 8V |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 6-WDFN Exposed Pad |
Outros nomes | SSM6J511NU,LF(B SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NULF SSM6J511NULFTR |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 6V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 12V |
Descrição detalhada | P-Channel 12V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |