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STB10N60M2

Modelo do Produto : STB10N60M2
Fabricante / Marca : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Estado de RoHS : Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 30237 pcs
Fichas de dados STB10N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK
Série MDmesh™ II Plus
RDS ON (Max) @ Id, VGS 600 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 85W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes 497-14528-2
STB10N60M2-ND
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 600V
Descrição detalhada N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)
Número da peça base STB10N60
STB10N60M2
STMicroelectronics STMicroelectronics as imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto para detalhes do produto.
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