Modelo do Produto : |
STB42N65M5 |
Fabricante / Marca : |
STMicroelectronics |
Descrição : |
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK |
Estado de RoHS : |
Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível |
4343 pcs |
Fichas de dados |
STB42N65M5.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
Vgs (Max) |
±25V |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor |
D2PAK |
Série |
MDmesh™ V |
RDS ON (Max) @ Id, VGS |
79 mOhm @ 16.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max) |
190W (Tc) |
Embalagem |
Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Outros nomes |
497-8769-2 |
Temperatura de operação |
150°C (TJ) |
Tipo de montagem |
Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante |
42 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
4650pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs |
100nC @ 10V |
Tipo FET |
N-Channel |
Característica FET |
- |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) |
10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) |
650V |
Descrição detalhada |
N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C |
33A (Tc) |